M06400 - SEMI M64 - Test Method for the EL2 Deep Donor Concentration in Semi-Insulating (SI) Gallium Arsenide Single Crystals by Infrared Absorption Spectroscopy Revision:SEMI M64-0915 - Superseded the attributes of the epitaxial

the attributes of the epitaxial layer are not included the specification requirements

SEMI M59 — Terminology for Silicon Technology

本書の要求条件は，UPWを使用し温度を上昇させた状態での材料および部品の試験に焦点を当てているが，本書のユーザが検討する可能性のある腐食剤，酸化剤等の化学薬品も適用対象となる。しかし，考え得るあらゆる接液する薬液に対する膨大な数の試験パラメータを定義することは，本書の範囲外である。ただし，本書は，サプライヤやエンドユーザがUPW以外の化学薬品を使用した試験，またはその他の温度条件での試験を行う可能性や，また，本書内の要求条件とは独立した独自の内部制限を設ける可能性を排除または制限することを意図したものではない。

SEMI M73 — Test Methods for Extracting Relevant Characteristics from Measured Wafer Edge Profiles

SEMI E82-0302 (technical revision)

M06400 - SEMI M64 - Test Method for the EL2 Deep Donor Concentration in Semi-Insulating (SI) Gallium Arsenide Single Crystals by Infrared Absorption Spectroscopy Revision:SEMI M64-0915 - Superseded the attributes of the epitaxialThe purpose of this Test Method is to specify a method to measure the concentration of the deep donor EL2 in SI GaAs by infrared absorption. This Test Method covers a procedure for measuring the concentration of the deep donor EL2 in SI GaAs. This method focuses on improving the accuracy and repeatability of the measurement by standardizing the test conditions and reporting and by routine calibration of the measurement. This Test Method is intended to